混合PiN结肖特基二极管及其P型欧姆接触的制备方法

摘要

本发明提供一种混合PiN结肖特基二极管及其P型欧姆接触的制备方法，该制备方法包括：提供叠层结构，由下向上依次包括N+衬底层及N‑外延层，N‑外延层包括有源区，有源区形成有至少一个P+离子注入区；于叠层结构表面沉积防护掩膜层；采用光刻刻蚀工艺刻蚀防护掩膜层，形成至少一个刻蚀窗口，刻蚀窗口仅显露与其对应的P+离子注入区；于上述结构的表面沉积金属层并对该金属层进行欧姆接触退火；去除防护掩膜层及防护掩膜层上的金属层。通过形成图形化防护掩膜层，在欧姆接触退火过程中，其可有效防止金属层熔融侧向流动至P+离子注入区之外的区域，所以不需要额外制备大面积的P+离子注入区，从而不需要牺牲正向导通面积；且工艺简单便于控制。