具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法

摘要

本发明涉及一种具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法，包括：衬底；在衬底的背面制作而成的负极；在衬底的正面外延生长的n+型氮化镓层；在n+型氮化镓层上外延生长的n型氮化镓层，n型氮化镓层的外围具有圆环形高阻区，且n型氮化镓层上刻蚀有若干个梯度深度的沟槽，每一沟槽内生长有p型氮化镓；在n型氮化镓层、p型氮化镓和圆环形高阻区的表面制作而成的正极。本发明具有梯度深度的p型区域，可调节器件高电场强度区域的电场分布，同时通过双层外延氮化镓结构能形成良好的欧姆接触以及更好的PN结，有效提高了器件的性能，另外高阻区能有效抑制器件在高压下位于电极边缘的击穿，增强了器件的击穿性能。