首页> 中国专利> 具有纳微米结构的TOPCon晶硅太阳电池

具有纳微米结构的TOPCon晶硅太阳电池

摘要

一种具有纳微米结构的TOPCon晶硅太阳电池实现方法,在n型晶硅衬底的正面采用碱溶液制备得到微米结构金字塔后,在微米结构金字塔上制备硅纳米柱阵列或金属纳米颗粒阵列;然后在正面通过高温硼扩散形成p‑n结、在背面通过LPCVD方法或PVD方法制备氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构;最后在正面的p‑n结上依次覆盖氧化铝/氢化氮化硅叠层和金属Ag/Al栅线、在背面的氧化硅/掺杂多晶硅叠层结构上覆盖氢化氮化硅层和金属Ag栅线。本发明能够显著降低硅片对入射光的反射率,从而使得更多光子被晶硅衬底吸收,同时新绒面结构没有带来更大载流子复合,电池效率跟常规电池具有可比性。

著录项

  • 公开/公告号CN113675298A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110951231.0

  • 发明设计人 丁东;沈文忠;李正平;裴骏;

    申请日2021-08-18

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/0236(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王毓理;王锡麟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-06-19 13:18:31

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号