基于2T1M的忆阻器编程及读取电路结构和电路编程读取方法

摘要

本发明公开了一种基于2T1M的忆阻器编程及读取电路结构和电路编程读取方法，所述电路结构的基本单元采用相对设置的两个MOS管和忆阻器相连，组成2T1M组件；第一驱动信号组{wl}、第二驱动信号组{wl‑}通过连接栅极进行统一控制；通过设置时钟周期clk和ctrol_information，以及输出脉冲信号Vs、Vd，实现电路中的忆阻器的定向编码、和格式化操作；同时在编程电路中设置读取电路结构，实现对忆阻器编程后信号的读取；本发明还公开了相应的电路编程方法和读取方法，同时提供了相应的电路格式化方法，弥补了由于正反相脉冲刺激导致的忆阻器性能差异，使忆阻器电路在编码过程中具备更高的稳定性。