一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括源极、漏极、栅极、钝化层、势垒层、沟道层、缓冲层、衬底和沟槽源极场板；其中，所述沟槽源极场板位于钝化层中，所述沟槽源极场板与源极相连，所述沟槽源极场板位于源极与栅极之间或者栅极与漏极之间。本发明在器件工作时受到HPM应力在栅极出现耦合电压时，减小栅极处的电流，减小由于HPM应力产生的高电压和高电流造成的高温，提高器件发生烧毁的耦合电压，延迟器件发生烧毁的时间，提高器件抗HPM加固特性。