埋入式栅极结构的制备方法及埋入式栅极结构

摘要

本公开提供一种埋入式栅极结构的制备方法及埋入式栅极结构。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有有源区；蚀刻有源区，形成第一沟道；在第一沟道的内壁形成第一牺牲层；回蚀刻第一牺牲层位于第一沟道底壁的部分，并继续向下蚀刻半导体衬底，形成第一沟槽；去除剩余的第一牺牲层；在第一沟道和第一沟槽中填充第二牺牲层；回蚀刻第二牺牲层至第一深度，形成第二沟道；在第二沟道的内壁形成辅助层；回蚀刻位于第二沟道的侧壁的辅助层至第二深度，以及回蚀刻位于第二沟道底部的辅助层，露出第二牺牲层，在第二沟道的侧壁上形成凸出部；去除剩余的第二牺牲层，形成栅极沟道。本公开实施例的制备方法增加了栅极沟道的长度，避免阈值电压减小。