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LaNiO3薄膜的形成方法及器件的制造方法

摘要

本发明涉及LaNiO3薄膜的形成方法及器件的制造方法,本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括:在被Pt电极包覆的基板中,在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下,将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序;临时烧结所述涂膜的工序;及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN113600452A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN202110967305.X

  • 发明设计人 藤井顺;樱井英章;曽山信幸;

    申请日2015-03-18

  • 分类号B05D3/02(20060101);B05D7/24(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人刁兴利;康泉

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 13:10:40

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