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晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统

摘要

本发明提供一种晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统,其中,所述晶圆良率损失预测方法包括依次获取晶圆上所有芯片的整体缺陷密度;建立缺陷密度数据模型;获取所述晶圆的缺陷密度图形;依次分析所述缺陷密度图形中所有芯片的失效率;以及,预测所述晶圆的良率损失情况。本发明通过建立晶圆的缺陷密度数据模型自动输出不同的缺陷密度范围对应的缺陷密度图形并预测晶圆上所有芯片的良率损失情况,为缺陷分析提供精准的缺陷密度报告以及良率损失预测。

著录项

  • 公开/公告号CN113609814A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN202110863716.4

  • 申请日2021-07-29

  • 分类号G06F30/398(20200101);G06F119/02(20200101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周耀君

  • 地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号

  • 入库时间 2023-06-19 13:09:01

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