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公开/公告号CN113609814A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202110863716.4
发明设计人 胡向华;汪金凤;何广智;顾晓芳;倪棋梁;
申请日2021-07-29
分类号G06F30/398(20200101);G06F119/02(20200101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周耀君
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 13:09:01
机译: 用于半导体器件制造的良率损失计算和故障模式分类,涉及使用具有相同故障模式和晶圆良率损失值的晶圆片数
机译: 通过精确的晶圆放置对准消除系统的工艺良率损失
机译: 消除了由于精确调整晶圆位置而造成的系统良率的系统性损失
机译:晶圆清洗过程中的随机良率损失
机译:Fab消除了由于手动晶圆处理而造成的良率损失
机译:单位水平的预测良率:一种在晶圆分类中识别高缺陷密度芯片的方法
机译:现代线锯制造中的高分辨率晶圆表面拓扑测量和振动分析。
机译:多功能晶圆级石墨烯膜可实现快速超滤和高渗透率气体分离
机译:解决晶圆对晶圆3d集成工艺的良率优化问题
机译:表征晶圆充电机制和氧化物存活预测方法