法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-01
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/66 专利申请号:202110918071X 变更事项:申请人 变更前:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 变更后:瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 变更事项:地址 变更前:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层 变更后:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层
著录事项变更
机译: 碳化硅半导体衬底,制造碳化硅半导体衬底的方法以及制造碳化硅半导体器件的方法,其中在基底衬底的与形成外延层的主表面相对的背面上形成凹陷抑制层
机译: 调节PbSnSe外延层中电荷载流子浓度的方法
机译: 碳化硅基质,附有外延层的基质,半导体装置以及碳化硅基质的生产方法