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一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置

摘要

本发明涉及一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置,所述方法为采用MCV设备测试碳化硅外延层载流子浓度,所述MCV设备包括载物台,所述载物台上方设置离子风帘盘,所述离子风帘盘通过一导管连接离子风枪;在测试碳化硅外延层载流子浓度之前,开启离子风枪,产生的离子风通过所述离子风帘盘对所述载物台上的碳化硅外延层进行吹扫,之后再进行碳化硅外延层载流子浓度的测试。所述装置包括MCV设备、离子风帘盘和离子风枪。本发明所述方法可以保证碳化硅外延片外延层载流子浓度测试结果的准确性,同时提高现有测试设备测试结果的重现性。

著录项

  • 公开/公告号CN113611627A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司;

    申请/专利号CN202110918071.X

  • 申请日2021-08-11

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构35218 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘小勤

  • 地址 361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层

  • 入库时间 2023-06-19 13:09:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-01

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/66 专利申请号:202110918071X 变更事项:申请人 变更前:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 变更后:瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 变更事项:地址 变更前:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层 变更后:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层

    著录事项变更

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