SiC－MOSFET実用化のためのJIS制定高温における炭化ケイ素素子のゲート絶縁膜長期信頼性寿命の試験方法

摘要

炭化ケイ素（SiC）素子は、シリコン（Si）素子とrn比較して、通電状態での抵抗値が低いため、電rn力輸送の基幹系の高圧直流送電（HVDC）や高圧rn直流連系（BTB）に用いる大電力変換装置およrnび送電?配電系の安定化に用いるループコントrnローラーへの応用が期待されています。