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超低介电损耗的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明属于无铅铁电压电陶瓷材料技术领域,具体涉及超低介电损耗的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。本发明公开了超低介电损耗的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料,其化学表达式为:[(Na0.1K0.9)0.23Li0.77][(Nb0.15Sb0.85)0.41Ta0.59]O3+xmol%TM;其中TM为MnO2、Fe2O3、Ni2O3或CuO中的一种;x值为0.1~0.75。还公开了超低介电损耗的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的制备方法。本发明通过Li+对A位Na+、K+和Ta5+、Sb5+对B位Nb5+复合取代、金属氧化物掺杂三种方式协同改性的特殊方法,解决了纯KNN陶瓷可烧结性差的缺点,实现用传统烧结工艺制备出不仅具有优良电学性能的铌酸盐无铅压电陶瓷材料,而且其介电损耗大幅优于目前报道的KNN基陶瓷;本发明的制备方法,其具有工艺简单、重复性、稳定性好的效果,因此具有实际应用的价值。

著录项

  • 公开/公告号CN113563075A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳京钛科技有限公司;湖北大学;

    申请/专利号CN202110968898.1

  • 申请日2021-08-23

  • 分类号C04B35/495(20060101);C04B35/622(20060101);C04B41/88(20060101);

  • 代理机构50267 重庆壹手知专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人彭啟强

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道万丰社区中心路18号高盛大厦B407

  • 入库时间 2023-06-19 13:04:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-28

    发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B35/495 专利申请号:2021109688981 申请公布日:20211029

    发明专利申请公布后的撤回

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