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衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚石的制备方法

摘要

本发明涉及单晶金刚石技术领域,具体提供一种衬底及衬底的拼接方法和单晶金刚石的制备方法。所述衬底的拼接方法包括以下步骤:提供单晶金刚石籽晶,单晶金刚石籽晶具有底表面和与底表面相背的顶表面;单晶金刚石籽晶具有自底表面至顶表面的第一高度;沿第一高度的等分线切割单晶金刚石籽晶,使单晶金刚石籽晶被切割成具有相同第二高度的多块籽晶;将多块籽晶沿垂直于第二高度的方向进行拼接,且使相互拼接的籽晶之间的晶体取向相同,由此获得衬底。本发明可获得晶体取向相同的衬底,从而有助于节省单晶金刚石的加工工序,提高单晶金刚石的生长效率以及获得大尺寸、高质量的单晶金刚石。

著录项

  • 公开/公告号CN113529175A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳技术大学;

    申请/专利号CN202110758828.3

  • 申请日2021-07-05

  • 分类号C30B35/00(20060101);C30B29/04(20060101);

  • 代理机构44507 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张传义

  • 地址 518118 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号

  • 入库时间 2023-06-19 12:57:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B35/00 专利申请号:2021107588283 申请公布日:20211022

    发明专利申请公布后的驳回

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