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公开/公告号CN113529175A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳技术大学;
申请/专利号CN202110758828.3
发明设计人 何斌;曹海涛;韩培刚;黄江涛;陈文婷;张宗雁;
申请日2021-07-05
分类号C30B35/00(20060101);C30B29/04(20060101);
代理机构44507 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张传义
地址 518118 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
入库时间 2023-06-19 12:57:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B35/00 专利申请号:2021107588283 申请公布日:20211022
发明专利申请公布后的驳回
机译: 在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译: 用于生长单晶金刚石层的衬底和用于生产单晶金刚石衬底的方法
机译:IR / Pd / Al_2O_3(11-20)衬底上的单晶金刚石的异质生长
机译:IR缓冲KtaO_3(001)衬底上的单晶金刚石的异质腔
机译:衬底偏压对等离子CVD类金刚石碳膜完全覆盖的单晶硅微结构拉伸性能的影响
机译:基于大气压等离子体工艺(第2次报告) - 使用石英玻璃,基于大气压等离子体工艺(第2次报告)的单晶金刚石衬底(第2次报告)的高效损坏单晶金刚石基材的平滑平面化和平滑
机译:通过碳化和单晶衬底的离子注入开发碳化硅衬底。
机译:在任意衬底上大规模制造有机单晶器件的高产量两步转移印刷方法
机译:大面积硅衬底上的CVD金刚石生长大面积硅衬底上的CVD金刚石生长
机译:多孔siC衬底发光二极管及其制备方法。