公开/公告号CN113544592A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;
申请/专利号CN202080019400.0
申请日2020-02-20
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王益
地址 荷兰维德霍温
入库时间 2023-06-19 12:56:12
机译: 用于制造例如晶体管的薄膜晶体管的方法。 LCD涉及在灰点图案下面对绝缘层进行图案化以形成蚀刻停止层,并使用衍射掩模对源极和漏极进行图案化
机译: 用于校正掩模图案的方法,用于校正掩模图案的程序,用于校正掩模图案的设备,用于设定曝光条件的方法,用于设定曝光条件的程序,用于设定曝光条件的设备,用于制造半导体装置,制造装置,设备,方法的方法用于制造半导体设备
机译: 用于光刻掩模优化图案和图像的光刻掩模优化的方法,装置和电子设备