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碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统

摘要

本发明涉及碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统,在碳化硅晶锭的制造过程中,在使反应容器的内部空间减压以升温的步骤中,在特定内部空间的上部和下部之间形成温度差。通过根据本发明的碳化硅晶锭的制造方法,可以使作为碳化硅晶锭的后表面的籽晶面的损失最小化,并且可以制造具有较少缺陷和良好晶体质量的碳化硅晶锭。

著录项

  • 公开/公告号CN113512759A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SKC株式会社;

    申请/专利号CN202011099175.4

  • 申请日2020-10-14

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构51258 成都超凡明远知识产权代理有限公司;

  • 代理人魏彦

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 12:54:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-01-14

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B29/36 专利申请号:2020110991754 变更事项:申请人 变更前:赛尼克公司 变更后:赛尼克公司 变更事项:地址 变更前:韩国首尔 变更后:韩国忠清南道

    著录事项变更

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