一种电子束光刻辅助工艺制造方法

摘要

本发明公开了一种电子束光刻辅助工艺制造方法，其是在半导体基底上形成第一光阻层和第二光阻层的叠层，对光阻叠层进行电子束曝光和显影，得到T型图形和位于T型图形两侧的辅助图形，其中T型图形的曝光深度为第一光阻层和第二光阻层的厚度，辅助图形的曝光深度为第二光阻层的厚度，然后沉积金属并剥离光阻，得到T型栅金属。本发明通过辅助图形的设置，减少了金属沉积过程中T型图形周围的光阻的形变量，降低了光阻形变导致的对T型栅形貌的影响，提升了T型栅金属形貌的稳定性。