首页> 中国专利> 关键尺寸在线监控结构的形成方法

关键尺寸在线监控结构的形成方法

摘要

本申请公开了一种关键尺寸在线监控结构的形成方法,涉及半导体制造领域。该关键尺寸在线监控结构的形成方法包括对预定膜层进行光刻和刻蚀,形成预定图形和衬垫图形,所述衬垫图形位于关键尺寸在线监控区域;通过光刻工艺形成关键尺寸在线监控结构和预定光刻图形,所述关键尺寸在线监控结构位于所述衬垫图形的表面;解决了目前关键尺寸在线监控结构在较厚膜层结构形成后的注入层次容易发生倾覆的问题;达到了改善关键尺寸在线监控结构在注入层次发生倾覆的现象,提升关键尺寸在线监控结构的稳定性的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN113506759A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202110760698.7

  • 发明设计人 王雷;

    申请日2021-06-28

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗雅文

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 12:53:05

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号