干蚀刻方法、半导体设备的制造方法和蚀刻装置

摘要

本发明的干蚀刻方法的特征在于，其是使包含β‑二酮的蚀刻气体与形成于被处理体的表面的金属膜接触而蚀刻所述金属膜的干蚀刻方法，所述方法包括：使包含第1β‑二酮的第1蚀刻气体与上述金属膜接触的第1蚀刻工序；及在上述第1蚀刻工序之后，使包含第2β‑二酮的第2蚀刻气体与上述金属膜接触的第2蚀刻工序，上述第1β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成第1络合物的化合物，上述第2β‑二酮是能够通过与上述金属膜的反应而生成升华点比上述第1络合物低的第2络合物的化合物。