机译:使用反射率各向异性光谱(RAS)设备精确控制多层III-V半导体样品的原位蚀刻深度
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机译:反应离子蚀刻(RIE)过程中使用反射率各向异性光谱(RAS)设备进行的原位蚀刻深度控制优于5 nm:RAS技术应用
机译:等离子体组成对原位III-V半导体干法刻蚀监测的反射率各向异性谱的影响
机译:具有反射各向异性光谱(RAS)的原子层敏感原位等离子体刻蚀深度控制
机译:III-V型化合物半导体中激光冷却的精确表征和研究。
机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:使用反射各向异性光谱(Ras)设备对多层III-V半导体样品进行精确的原位蚀刻深度控制
机译:III-V半导体金属原位研究设备