机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:反应离子蚀刻(RIE)过程中使用反射率各向异性光谱(RAS)设备进行的原位蚀刻深度控制优于5 nm:RAS技术应用
机译:使用反射率各向异性光谱(RAS)设备精确控制多层III-V半导体样品的原位蚀刻深度
机译:下游质谱法对带有腐蚀停止层的电介质光栅的反应性离子束腐蚀进行原位终点检测
机译:弹道电子发射显微镜(BEEM)-研究反应离子刻蚀(RIE)和化学预处理对III-V半导体的影响
机译:在半导体表面上形成氨基硅烷和硫醇单层,并对III-V半导体进行本体湿法蚀刻。
机译:使用反射率各向异性光谱(RAS)设备精确控制多层III-V半导体样品的原位蚀刻深度
机译:原位蚀刻深度控制在反应离子蚀刻期间具有反射各向异性光谱(RAS)设备的反射速度蚀刻深度控制(RAS):技术RAS应用
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。