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在没有阻挡层的情况下的原位钨沉积

摘要

公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/28 专利申请号:2021103431733 申请日:20210330

    实质审查的生效

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