公开/公告号CN113437166A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 华南师范大学;
申请/专利号CN202110716606.5
申请日2021-06-28
分类号H01L31/0336(20060101);H01L31/109(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y15/00(20110101);
代理机构11344 北京市盈科律师事务所;
代理人李憲璋
地址 510631 广东省广州市天河区中山大道西55号
入库时间 2023-06-19 12:42:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-26
授权
发明专利权授予
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 通过化学切割预制的纳米颗粒和使用该材料制成的范德华异质结构装置形成二维薄片
机译: 2 2二维异质结的结构及二维异质结的形成方法