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基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法

摘要

一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器、其制备方法及应用,该偏振光探测器包括基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层;所述有源层设置在源电极和漏电极之间。本发明通过使用二维层状半导体材料作为有源层,而源电极、漏电极均为金属材料,选择合适的金属材料金,使半导体和金属的交界面为欧姆接触,保留材料本身的光电性质;本发明使用的二硫化铅锡具有高的光电响应率及偏振性,且光吸收区域覆盖紫外到近红外波段,在偏振光探测中有广泛的应用。

著录项

  • 公开/公告号CN110620164A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910915598.X

  • 发明设计人 黄皖;魏钟鸣;文宏玉;李京波;

    申请日2019-09-25

  • 分类号H01L31/113(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人吴梦圆

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2024-02-19 15:53:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/113 申请日:20190925

    实质审查的生效

  • 2019-12-27

    公开

    公开

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