一种采用辐照技术制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种采用辐照技术制造半导体器件的方法，包括：在硅晶片中形成基极区和发射极区，在所述硅晶片的表面形成钝化薄膜层以及金属化层和合金化层；对所述硅晶片进行切割和器件分离，将分离的器件固定在基座上，并进行引线焊接处理，形成晶体管；对所述晶体管进行辐射处理；将聚酰胺酸施加到晶体管的表面；采用第一预设温度在第一预设时间内对所述晶体管进行第一阶段的聚合；采用第二预设温度在第二预设时间内对所述晶体管第二阶段聚合；所述第二预设温度高于所述第二预设温度；对所述晶体管的辐射缺陷进行退火处理，制备出具有抗辐射性能的半导体晶体管。该方法制备的器件工艺简单价格成本低，根据实验数据，其耐辐射性抗辐射行效果较好。