公开/公告号CN113410233A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN202110664368.8
申请日2018-10-31
分类号H01L27/092(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/033(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);H01L21/308(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L23/485(20060101);H01L23/522(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/532(20060101);H01L27/02(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/11(20060101);H01L27/12(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/165(20060101);H01L29/167(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/78(20060101);H01L49/02(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 12:37:08
机译: 高级集成电路结构制造的外延源或漏极结构
机译: 包括横向凹陷的源极/漏极外延区的集成电路结构及其形成方法
机译: 包括横向凹陷的源极/漏极外延区的集成电路结构及其形成方法