机译:源极和漏极接触对基于阳极氧化铝栅极电介质的铟锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
机译:使用选择性区域硅PECVD制造的反交错a-Si:H薄膜晶体管中的自对准栅极和源极漏极接触
机译:具有选择性沉积的源极/漏极触点的增强迁移率顶栅非晶硅薄膜晶体管
机译:使用欧姆和肖特基源/漏极接触构造的共轭聚合物薄膜晶体管
机译:纳米级CMOS的高级源/漏和触点设计。
机译:带有石墨烯和钛源极-漏极触点的二维MoS2场效应晶体管的功函数调整
机译:先进的III-V场效应晶体管的接触和源极/漏极工程