一种用于提高SRAM读电流的结构

摘要

本发明提供一种用于提高SRAM读电流的结构，分别包括第一至第三Fin结构的第一、第二读取上拉管和第一、第二读取通过门；第一栅极置于第一读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第二栅极置于第二读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第三栅极置于第一读取通过门的第一至第三Fin结构上；第四栅极置于第二读取通过门的第一至第三Fin结构上；第三栅极和第四栅极通过第一栅极金属连接；第二读取上拉管的第一至第三Fin结构的另一端通过第三金属条形结构与第二读取通过门的第一至第三Fin结构的一端连接。本发明的RPD和RPG中的至少一个改变为NLVT或NULVT后，读取电流得到明显改善，对读取干扰问题没有副作用。不增加新光罩，RPD和RPG之间的间距足够大，可以进行工艺修改。