公开/公告号CN113376772A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202110697341.9
申请日2021-06-23
分类号G02B6/42(20060101);G02F1/015(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人钱文斌
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-06-19 12:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B 6/42 专利申请号:2021106973419 申请公布日:20210910
发明专利申请公布后的驳回
机译: 通过离子轰击连续改变锗或硅的至少一部分半锗或硅的电性能的方法,并且通过应用该方法进行了全面的研究。
机译: 一种集成的硅-锗-异质双极trani栅极和集成的硅-锗异质双极晶体管的生产方法。
机译: 一种用于生产某些锗或硅的方法,该锗或硅用于电荷转移装置的设定的定义的扩散长度