一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件

摘要

本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件，包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒。中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱，势垒高度比两侧势垒区高，防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合，在加电场发生耦合时，对两个量子阱的耦合控制效果更好。