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公开/公告号CN113380597A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 温州大学;
申请/专利号CN202110487314.9
发明设计人 祝维;董长昆;钱维金;黄卫军;
申请日2021-05-05
分类号H01J37/073(20060101);H01J9/02(20060101);
代理机构33258 温州名创知识产权代理有限公司;
代理人陈加利
地址 325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
入库时间 2023-06-19 12:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-30
授权
发明专利权授予
机译: 碳纳米管场电子发射体的制造方法以及由其制造的包含场电子发射体的场电子发射装置,能够有效地制造碳纳米管场发射电子源
机译: 利用催化剂制造碳纳米管的方法,场发射电子源的制造方法,场发射电子源和场发射显示器
机译: 场发射型电子源阵列的制造方法,场发射型电子源阵列及其制造装置以及碳纳米管的分离纯化方法
机译:氧化铝模板中碳纳米管的蜂窝阵列,用于基于场发射的设备和电子源
机译:可寻址的场发射器阵列:一种用于设计场发射器的工具,可将多束电子源降落
机译:用于产生微焦点X射线的碳纳米管纱线场发射器的设计
机译:基于微加工的可靠的碳纳米管微丝用于微焦点场发射X射线源
机译:基于碳纳米管场发射器和电子倍增器微通道板的强大,高电流冷电子源。
机译:用于微放射治疗的碳纳米管场发射多像素x射线阵列源
机译:基于碳纳米管场发射器和电子倍增器微通道板的鲁棒大电流冷电子源
机译:用不同介电层厚度的复合微发射场研究场致热电子发射