功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路

摘要

一种功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路，包括在功率MOSFET器件上增设第一、第二栅总线，将功率MOSFET的一部分元胞的栅极连接于第一栅总线，将功率MOSFET的另一部分元胞的栅极连接于第二栅总线，功率MOSFET的漏极和源极分别连接所有元胞结构的漏和源。外部输入信号控制第二栅总线连接的元胞的开启与关闭，由微控制器比较MOSFET的漏极和源极电压，控制连接于第一栅总线的元胞的开启与关闭：当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压高于预定电压时，开启第二栅总线连接的元胞并关闭第一栅总线连接的元胞；当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压小于预设电压时，开启全部元胞。