N沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT

摘要

本发明公开了一种N沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，其中，N沟道的平面型VDMOS包括p阱区，所述p阱区的沟道内埋有至少一个n岛，所述n岛为n型区，所述n型区采用n型半导体元素形成。本发明提供的N沟道的平面型VDMOS和平面型IGBT，通过在器件的p阱区的沟道内埋设n岛，能够有效调整器件的Vth的范围并且一致性更好。n岛的数量取决于具体的应用需求，相对而言，埋入的n岛的数量越多，器件的Vth值越低。