一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法。一、将具有2‑4º偏角的2英寸GaAs衬底清洗腐蚀；二、以金属Ga和金属In作为反应源，将Ga舟、In舟和衬底装炉并抽真空后通入H2，去除衬底表面杂质；三、将第一反应区的温度升入700‑800℃，通入HCl后，在第一反应区生成GaCl和InCl；四、将第二反应区的温度升入600‑660℃后关闭HCl，通入PH3后，在第二反应区生成GaInP薄膜；五、将第二反应区的温度降至室温后取样。采用HVPE工艺由于Ⅲ族反应源为有机源金属镓和金属铟且生长速度快，可以降低GaInP薄膜的制作成本，扩大电池的应用范围，使得太阳电池应用于地面领域成为可能。