公开/公告号CN113312867A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州广立微电子股份有限公司;
申请/专利号CN202110526366.2
发明设计人 刘永利;
申请日2021-05-14
分类号G06F30/39(20200101);
代理机构32393 江苏坤象律师事务所;
代理人赵新民
地址 310012 浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
入库时间 2023-06-19 12:22:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-24
授权
发明专利权授予
机译: 一种向集成电路供电的方法,包括在电源,质量和偏置电压中选择电压,以对积分系统的处理单元的晶体管的阱进行偏置,并向阱提供选定的电压。
机译: 一种用于在接收器的低噪声放大器中对晶体管的栅极进行偏置以保护晶体管免受过多输入影响的装置
机译: 使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法对LDMOS晶体管进行漂移区域场控制