Transistors; Integrated circuit modeling; Stress; Histograms; Threshold voltage; Semiconductor device measurement; Temperature dependence;
机译:先进SOI CMOS晶体管的热载流子退化和负偏置温度不稳定性的一些问题
机译:一种改善40nm CMOS技术中激光退火加剧负偏置温度不稳定性的新方法
机译:负偏置温度不稳定性(NBTI)对CMOS反相器电路的应力分析和温度影响
机译:CMOS晶体管中偏置温度不稳定性自动大规模表征的新方法
机译:基于1-16 GB / S的全数字阶段内插器的时钟和数据恢复电路及深亚微米CMOS晶体管在低温温度下的可靠性研究
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:先进CMOS裸片亚亚MOS晶体管负偏压温度不稳定性(NBTI)的退化现象研究。
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性