半导体功率器件斜坡场板的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率器件斜坡场板的制作方法，首先，对应斜坡区域设计两块灰度光刻版，然后在每块光刻版灰度区域，设置尺寸小于光刻分辨率的均匀栅格，并在各个栅格对铬层开孔制得灰度光刻版；接着，以这两块灰度光刻版为掩膜对光刻胶先后两次曝光，显影后产生斜坡光刻胶，再以斜坡光刻胶作为掩膜进行等离子干法刻蚀，最后进行金属淀积与反应离子刻蚀，制得斜坡场板。本发明提供的方法简化了工艺步骤，降低了工艺难度和成本，使用较少的工艺步骤和成本实现斜坡场板制作，同时相对于一次曝光，双曝光增加了对斜坡场板范围与梯度的选择。本发明属于半导体集成电路制造技术领域，用于制作斜坡场板。