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氮化铝压电MEMS谐振式压力传感器

摘要

氮化铝压电MEMS谐振式压力传感器,该芯片结构包括:压力敏感层、AlN压电谐振结构单元和密封盖板层。其中压力敏感层包含一感压膜结构和两个凸台结构,感压膜结构经凸台与AlN压电谐振结构单元相连。AlN压电谐振结构单元包括上电极层、氮化铝压电层、下电极层和绝缘层;上电极包括驱动电极和检测电极,分别用于驱动AlN压电谐振结构单元发生谐振和检测输出信号,上电极呈条状,位于AlN结构上表面中心线的两侧。密封盖板层包括凹槽和电极通孔,该盖板层通过键合工艺与AlN压电谐振结构单元连接,形成真空密封腔。本发明的谐振式压力传感器,可有效降低工艺制造难度、提高传感器的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN113295303A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110473345.9

  • 发明设计人 杨健;赵广宏;许姣;尹玉刚;陈平;

    申请日2021-04-29

  • 分类号G01L1/10(20060101);G01L1/16(20060101);G01L9/00(20060101);G01L9/08(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人茹阿昌

  • 地址 100076 北京市丰台区北京市9200信箱74分箱

  • 入库时间 2023-06-19 12:19:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01L 1/10 专利申请号:2021104733459 申请公布日:20210824

    发明专利申请公布后的驳回

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