一种高质量碳化硅衬底及其制备方法

摘要

本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，从而减少了碳化硅晶体籽晶面和生长面表面与中心区域应力的差值，改善了碳化硅晶体的面型质量。