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高度可调式晶片支撑件以及用于调节晶片的高度的方法

摘要

提供一种高度可调式半导体晶片支撑件。所述高度可调式半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑所述吸盘的顶表面。台座耦合到所述调节机构,从而使得所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。

著录项

  • 公开/公告号CN113257733A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN202010909895.6

  • 发明设计人 林明兴;罗国纶;陈俊良;颜益祈;

    申请日2020-09-02

  • 分类号H01L21/683(20060101);

  • 代理机构32243 南京正联知识产权代理有限公司;

  • 代理人王素琴

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

  • 入库时间 2023-06-19 12:13:22

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种高度可调式半导体晶片支撑件。

背景技术

在半导体制作期间,半导体晶片在经历一个或多个工艺(例如制作和/或检查)的同时支撑在一个或多个支撑件上。

发明内容

本发明是针对一种半导体晶片支撑件,其可调节半导体晶片的高度。

根据本发明的实施例,一种半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑所述吸盘的顶表面。台座耦合到所述调节机构,从而使得所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。

根据本发明的实施例,一种高度可调式半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑所述吸盘的顶表面。台座耦合到所述调节机构,从而使得通过所述调节机构的电动机实现的所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。

根据本发明的实施例,一种用于调节半导体晶片的高度的方法包括:将用于支撑所述半导体晶片的吸盘放置在支撑所述吸盘的调节机构的顶表面上;以及启动所述调节机构,以改变所述调节机构的所述顶表面与支撑所述调节机构的台座的顶表面之间的距离。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本公开的方面。注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并未按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的侧视图。

图2示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的俯视图。

图3示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的俯视图。

图4示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮(wheel)及轴(shaft)的透视图。

图5示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮及轴的透视图。

图6示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮、轴及台座(stage)的透视图。

图7示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮的透视图。

图8示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮的透视图。

图9示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轴的透视图。

图10示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的轮的透视图及台座的俯视图。

图11示出根据一些实施例的高度调节机构的三种不同状态的透视图。

图12示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件的俯视图。

图13A示出根据一些实施例的半导体器件的透视图,高度可调式半导体晶片支撑件是与半导体器件一起使用。

图13B示出根据一些实施例的半导体器件的横截面图,高度可调式半导体晶片支撑件是与半导体器件一起使用。

图14示出根据一些实施例的其中包括被配置成实施本文中所述条款中的一者或多者的处理器可执行指令的示例性计算机可读媒体。

图15示出根据一些实施例的其中实施本文中所述条款中的一者或多者的示例性计算环境。

[符号的说明]

100:高度可调式半导体晶片支撑件

102:半导体制作设备

104:半导体晶片

105:控制器

108:吸盘

109:端壁

110:调节机构

111、113、117、614、1352c:顶表面

112:台座

114、115、116:距离

118:厚度

119、616:底表面

120、706:凹陷部

202:凹槽

402:驱动构件

403:电动机

404:带

406:轮

408:轴

410:张紧器

412:狭槽

414:转向器

502、922:第二突出部

602、920:第一突出部

604、910:第一凹槽

606:内侧壁

704、912:第二凹槽

802:上部凸缘

804:下部凸缘

902:对接部分

904:垂直轮停止件

906:第一部分

908:第二部分

1202:控制器

1204:标识(ID)读取器

1206:ID

1300:半导体器件

1302、G:栅极区

1304、S:源极区

1306、D:漏极区

1308:鳍高度

1310:鳍宽度

1312:鳍长度

1314:鳍型场效晶体管(FinFET)器件

1316:线

1318:介电层

1352:沟道区

1352a:第一垂直表面

1352b:第二垂直表面

1400:实施方案

1402:方法

1404:处理器可执行计算机指令

1406:计算机可读数据

1408:计算机可读媒体

1500:系统

1512、1530:计算器件

1514:虚线

1516:处理单元

1518:存储器

1520:存储体

1522:输出器件

1524:输入器件

1526:通信连接部

1528:网络

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或例子。以下阐述组件及排列的具体例子以简化本公开。当然,这些仅为例子而非旨在进行限制。举例来说,在以下说明中,在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成附加特征从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外,本公开在各种例子中可重复使用参考编号和/或字母。此种重复使用是出于简明及清晰的目的,而自身并不表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外,为易于说明,本文中可能使用例如“在…下方(beneath)”、“在…下面(below)”、“下部的(lower)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所绘示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向),且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

根据一些实施例,提供一种高度可调式半导体晶片支撑件。根据一些实施例,所述高度可调式半导体晶片支撑件使得能够(allows)调节半导体晶片的高度,例如相对于下方(underlying)的台座的高度。在一些实施例中,所述高度可调式半导体晶片支撑件包括吸盘、调节机构以及台座。吸盘用于支撑半导体晶片。调节机构具有用于支撑吸盘的顶表面。台座耦合到调节机构,从而使得调节机构的顶表面相对于台座的移动改变调节机构的顶表面与台座的顶表面之间的距离。根据一些实施例,考虑到半导体晶片由吸盘支撑且吸盘支撑在调节机构的顶表面上,半导体晶片与台座之间的距离随着调节机构的顶表面与台座的顶表面之间的距离改变而改变。

在一些实施例中,所述高度可调式半导体晶片支撑件使得能够(allows)使用单个半导体晶片支撑件来处理具有不同尺寸(例如厚度、直径、周长等)的不同大小的半导体晶片,而不是需要不同的半导体晶片支撑件(例如对于每一不同大小的半导体晶片需要不同的支撑件)。在一些实施例中,所述高度可调式半导体晶片支撑件使得能够使用同一半导体制作设备来处理具有不同尺寸(例如厚度、直径、周长等)的不同大小的半导体晶片,而不是需要不同的半导体制作设备(例如对于每一不同大小的半导体晶片需要相应的制作设备)。在一些实施例中,具有第一大小的第一半导体晶片通过所述高度可调式半导体晶片支撑件移动,以便与第一件制作设备(例如检查工具)相距第一距离,而具有第二大小的第二半导体晶片通过所述高度可调式半导体晶片支撑件移动,以便与第一件制作设备相距第二距离(例如小于第一距离)。根据一些实施例,能够将不同大小的半导体晶片放置成与制作设备相距不同的距离使得同一制作设备能够用于不同的半导体晶片中的每一者。根据一些实施例,半导体制作设备(例如半导体晶片支撑件、制作工具、检查工具等)一般相当昂贵,因而能够减少所需的半导体制作设备(例如处理不同大小的半导体晶片)的数量会造成显著的节省。在一些实施例中,能够使用同一半导体制作设备来处理不同大小的半导体晶片使得能够(allows)通过减少(例如减少到零)原本要改变至少一些半导体制作设备以处理不同大小的半导体晶片所需的时间或劳动中的至少一者来实现节省。

图1示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的侧视图。在一些实施例中,高度可调式半导体晶片支撑件100包括用于支撑半导体晶片104的吸盘108、调节机构110及台座112。根据一些实施例,调节机构110包括电动机403、至少一个轮406、至少一个轴408及带404,且因此调节机构110用虚影(phantom)示出以囊括这些物项。尽管示出三个轮406及三个轴408,然而在一些实施例中,不同数目的轮406及轴408是可以被设想的。根据一些实施例,轮406与轴408彼此间隔开任何所期望的距离,所述距离可为等距的或可不为等距的。根据一些实施例,调节机构110耦合到台座112,从而使得调节机构110的顶表面111相对于台座112的移动可改变调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114。根据一些实施例,考虑到半导体晶片104由吸盘108支撑且吸盘108支撑在调节机构110的顶表面111上,半导体晶片104与台座112之间的距离115随着调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114改变而改变。根据一些实施例,一个或多个轴408的相应顶表面对应于调节机构110的顶表面111。根据一些实施例,如下文进一步论述及在其他图中示出,带404耦合到轮406及电动机403,且轮406分别耦合到轴408。在一些实施例中,电动机403使带404移动,其中带的移动使轮旋转,此使得轴在垂直方向上移动,以改变调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114。在一些实施例中,例如当距离114要减小时,在台座112中形成一个或多个凹陷部706,以容置或接收相应的轴408。在一些实施例中,电动机403容纳在台座112中的凹陷部内。在一些实施例中,轮406中的一者或多者容纳在台座112中的相应凹陷部内。在一些实施例中,带404容纳在台座112中的凹陷部内。

根据一些实施例,台座112大体上相对于一件或多件半导体制作设备102(例如计量仪器、扫描仪器、检查工具、处理工具等)固定。根据一些实施例,考虑到台座112与半导体制作设备102之间的固定关系,半导体晶片104与台座112之间的距离115的变化会改变半导体晶片104的顶表面117与半导体制作设备102的底表面119之间的距离116。根据一些实施例,即使厚度118可在一个半导体晶片104到另一个半导体晶片104之间有所变化,调节半导体晶片104与台座112之间的距离115的能力仍会使得无论半导体晶片厚度如何,半导体晶片104的顶表面117与半导体制作设备102的底表面119之间的距离116均能够得到维持或以其他方式视需要进行调节,以从半导体制作设备102获得所期望的结果。

在一些实施例中,高度可调式半导体晶片支撑件100包括例如计算机、处理器、存储器、应用专用集成电路(application specific integrated circuit,ASIC)等控制器105。在一些实施例中,控制器105耦合到电动机403或半导体制作设备102中的至少一者,以例如控制距离116来实现所期望的结果。根据一些实施例,半导体制作设备102代表用于半导体制作、测试、计量等的一个或多个物项。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进光学计量、电子束计量、光谱计量、图像处理、成像检查等中的一者或多者。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进图案化晶片检查、未图案化晶片检查、掩膜板(reticle)检查、光掩膜(photomask)检查、膜分析、表面测量良率分析、缺陷分类等中的一者或多者。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进污染检测、粒子检测、粒子计数(particle count)、粒子分类、粒子表征(particle characterization)等中的一者或多者。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进图案缺陷检测、表面异常检测、电故障检测、物性故障检测(physicalfailure detection)等中的一者或多者。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进关于光刻效率、刻蚀效率、沉积效率、化学机械平坦化(chemical mechanical planarization)效率等的测量中的一者或多者。根据一些实施例,半导体制作设备102会促进关于层之间的对准、高纵横比(high-aspect-ratio)特征、接触孔轮廓、工艺工具性能、特征/元件尺寸等的测量中的一者或多者。根据一些实施例,控制器105控制半导体制作设备102或电动机403中的至少一者的操作,以例如通过调节距离116来实现所期望的结果,以便获得一个或多个所期望的测量。根据一些实施例,控制器105进行以下中的至少一者:产生或实施会促进所期望的半导体制作工艺(例如沉积、化学机械平坦化、刻蚀等)的指令。

根据一些实施例,吸盘108界定出一个或多个凹陷部120,所述一个或多个凹陷部120会促进以下中的至少一者:将半导体晶片104放置到吸盘108上或从吸盘108移除半导体晶片104。根据一些实施例,所述一个或多个凹陷部120被配置成接纳例如位于叉车(forklift)、机械臂等上的承载半导体晶片104的指状物(finger),以例如进行以下中的至少一者:将半导体晶片104放置到吸盘108上或从吸盘108移除半导体晶片104。

图2示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的俯视图。根据一些实施例,吸盘108一般是圆形的,例如用于支撑一般为圆形的半导体晶片(未示出)。根据一些实施例,所述一个或多个凹陷部120中的至少一些凹陷部120被界定在部份而不是整个吸盘108内,以便不完全延伸跨过吸盘108。在一些实施例中,所述一个或多个凹陷部120中的至少一些凹陷部120是矩形的或其他形状,以容置一个或多个对应形状的指状物(未示出)。根据一些实施例,端壁109界定出凹陷部的终端或端部。根据一些实施例,当遇到端壁109时,指状物停止前进,从而使得半导体晶片居中地放置在吸盘108上或以其他方式如所期望般放置在吸盘108上。根据一些实施例,吸盘108界定出一个或多个凹槽202。根据一些实施例,所述一个或多个凹槽202中的至少一些凹槽202是圆形的。根据一些实施例,所述一个或多个凹槽202中的至少一些凹槽202相对于另一个凹槽是同心配置的。

图3示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的俯视图。根据一些实施例,调节机构110的至少一些部分位于台座112上、台座112中、由台座112支撑、与台座112一体成型等。根据一些实施例,调节机构110包括驱动构件402(例如齿轮),驱动构件402耦合到用以驱动(例如旋转)驱动构件402的电动机403。在一些实施例中,电动机403相对于电动机403的位置可不同于所示位置(例如不同于同心配置)。根据一些实施例,电动机403的至少一些部分位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,电动机403的至少一些部分位于台座112的顶表面113下面,例如位于界定在台座112内的凹陷部内。根据一些实施例,驱动构件402包括轴,且电动机403使轴旋转,以例如使驱动构件402的其他方位(aspects)旋转。根据一些实施例,电动机403包括对接部分(例如齿),对接部分与驱动构件402上的对应对接部分(例如齿)对接或以其他方式配合,以驱动驱动构件402。根据一些实施例,驱动构件402的至少一些部分位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,驱动构件402的至少一些部分位于台座112的顶表面113下面,例如位于界定在台座112内的凹陷部内。

根据一些实施例,调节机构110包括带404。根据一些实施例,电动机403通过驱动构件402使带404在第一方向(例如顺时针)或第二方向(例如逆时针)中的至少一者上移动。根据一些实施例,驱动构件402包括对接部分(例如齿),所述对接部分与带404上的对应对接部分(例如狭缝(slit)、碎粒(grit)等)对接或以其他方式配合,以使带404移动。根据一些实施例,带404不具有对接构件,从而使得驱动构件402与带404的表面配合。

根据一些实施例,调节机构110包括一个或多个轮406。根据一些实施例,所述一个或多个轮406中的至少一些轮406位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,所述一个或多个轮406中的至少一些轮406位于台座112的顶表面113下面,例如位于界定在台座112内的凹陷部内。根据一些实施例,带404在第一方向上的移动使所述一个或多个轮406在第一旋转方向上旋转。根据一些实施例,带404在第二方向上的移动使所述一个或多个轮406在第二旋转方向上旋转。根据一些实施例,所述一个或多个轮406中的至少一些轮406包括对接部分(例如齿),所述对接部分与带404上的对应对接部分(例如狭缝、碎粒等)对接或以其他方式配合,以通过带404来旋转。根据一些实施例,带404不具有对接构件,从而使得带404的表面与所述一个或多个轮406配合。

根据一些实施例,调节机构110包括一个或多个轴408。根据一些实施例,所述一个或多个轴408中的至少一些轴408位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,所述一个或多个轴408中的至少一些轴408位于台座112的顶表面113下面,例如位于界定在台座112内的凹陷部内。根据一些实施例,所述一个或多个轴408中的至少一个轴408的顶表面界定出调节机构110的顶表面111。根据一些实施例,轮406在第一旋转方向上的旋转使轴408在第一垂直方向上移动,以改变调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114(图1),其中第一垂直方向对应于轴408的纵向轴线。根据一些实施例,轮406在第二旋转方向上的旋转使轴408在与第一垂直方向相反的第二垂直方向上移动,以改变调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114(图1)。根据一些实施例,所述一个或多个轴408中的至少一些轴408包括对接部分(例如突出部(tab)、凹槽等),所述对接部分与轮406上的对应对接部分(例如突出部、凹槽等)对接或以其他方式配合。

根据一些实施例,调节机构110包括张紧器(tensioner)410,张紧器410耦合到带404以调节带中的张力。根据一些实施例,张紧器410在狭槽412内行进,以在带404上施加或多或少的张力,且当带404上达到所期望的张力量时,张紧器410在狭槽中锁定位置。根据一些实施例,张紧器410的至少一些部分位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,张紧器410的至少一些部分位于台座112的顶表面113下面,例如位于界定在台座112内的凹陷部内。在一些实施例中,调节机构110包括转向器(diverter)414,以将带404定位在相对于台座112的所期望位置处,例如定位成远离承载半导体晶片的一个或多个指状物。根据一些实施例,转向器414的至少一些部分位于台座112的顶表面113上。根据一些实施例,转向器414的至少一些部分位于台座112的顶表面113下面,例如位于被界定在台座112内的凹陷部内。

图4示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406及轴408的透视图。根据一些实施例,轮406环绕轴408或者与轴408同心。根据一些实施例,轴408比轮406长,且相对于轮406在垂直方向上上下移动,其中垂直方向对应于轴的纵向轴线,且轴408的移动响应于轮406的旋转。根据一些实施例,轮406相对于台座112的顶表面113(图1)旋转,但相对于台座112的顶表面113具有很少的垂直移动或毫无垂直移动。根据一些实施例,考虑到轴408相对于轮406在垂直方向上移动,但轮406不相对于台座112的顶表面113在垂直方向上移动,轴408响应于轮406的旋转而相对于台座的顶表面113在垂直方向上移动。考虑到轴408的端部对应于调节机构110的顶表面111,轴408的垂直移动改变调节机构110的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114(图1)。

根据一些实施例,为促进轴408的此种垂直移动,轴408具有用于与轮406的第一轮对接部分对接的第一轴对接部分。根据一些实施例,当轮406旋转时,第一轴对接部分与第一轮对接部分之间的配合会造成轴408的垂直移动。根据一些实施例,第一轴对接部分包括从轴408突出的第一突出部602。根据一些实施例,轴408具有用于与台座112(图1)的第二台座对接部分对接的第二轴对接部分。根据一些实施例,当轴在轮406旋转时做垂直移动时,第二轴对接部分与第二台座对接部分之间的配合会抑制轴绕纵向轴线的旋转移动。根据一些实施例,第二轴对接部分包括从轴408突出的第二突出部502。

图5示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406及轴408的透视图。在图5中,根据一些实施例,轮406与轴408被绘示为未耦合或者轴408不在轮406内,以至少示出第一轮对接部分。在一些实施例中,第一轮对接部分包括形成在轮406的内侧壁606内的第一凹槽604。

根据一些实施例,垂直度量(vertical measure)(例如轮406的顶表面614与第一凹槽604之间的距离)可围绕轮406的内侧壁606变化。根据一些实施例,第一凹槽604的至少一些部分具有恒定的非零斜率,或者围绕轮406的内侧壁606在垂直方向上线性变化。根据一些实施例,第一凹槽604的至少一些部分具有为零的斜率,或者不围绕轮406的内侧壁606在垂直方向上变化。

根据一些实施例,当轮406旋转时,第一突出部602搭载(rides)在第一凹槽604内。根据一些实施例,当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有非零斜率的部分内时,轴408在垂直方向上移动。根据一些实施例,当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有为零的斜率的部分内时,轴408不在垂直方向上移动。根据一些实施例,轮406可旋转以将第一突出部602放置在第一凹槽604的第一水平或零斜率部分内,以将轴408‘停放’在第一垂直位置处,且将半导体晶片104(图1)放置成与台座112的顶表面113相距第一距离。根据一些实施例,轮406可旋转以将第一突出部602从第一凹槽604的第一水平部分通过第一凹槽604的非零倾斜或非水平部分过渡到第一凹槽604的第二水平或零倾斜部分,其中第一凹槽604的第二水平部分与第一凹槽604的第一水平部分处于不同的标高(elevation)或垂直位置,以将轴408位停放”在第二垂直位置处,且将半导体晶片104(图1)放置成与台座112的顶表面113相距第二距离。

根据一些实施例,第一凹槽604具有任意数目的水平部分,以实现轴的所期望粒度(granularity)或垂直位置数目,并因此实现半导体晶片104(图1)与台座112的顶表面113之间的距离。根据一些实施例,第一凹槽604的一些部分具有不同的斜率,从而使得当轮406以恒定速度旋转时,与当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有第二非零斜率的第二部分内时相比,当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有第一非零斜率的第一部分内时,轴408在垂直方向上的移动量不同。根据一些实施例,当在水平方向上测量时,第一凹槽604的具有非零斜率的一些部分具有不同的长度。根据一些实施例,当在水平方向上测量时,第一凹槽604的具有为零的斜率的一些部分具有不同的长度,从而使得当轮406以恒定速度旋转时,与当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有为零的斜率的第二部分内时相比,当第一突出部602搭载在第一凹槽604的具有为零的斜率的第一部分内时,轴408在垂直方向上缺乏移动会持续较长的时间周期。

根据一些实施例,第一凹槽604不延伸超过轮406的顶表面614或轮406的底表面616中的至少一者,以使得轮406不会‘脱离’轴408,或者即使轮406旋转超过360度,第一突出部602也继续搭载在第一凹槽604内。根据一些实施例,第一突出部602与第二突出部502间隔开,从而使得当轴408随着轮406旋转而上下移动且第一突出部602搭载在第一凹槽604内时,轮406不接触第二突出部502。

图6示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406、轴408以及台座112的一部分的透视图。根据一些实施例,凹陷部706界定在台座112内,从而使得当轴408随着轮406旋转而上下移动时,轴408向下插入凹陷部706中且从凹陷部706向上伸出。根据一些实施例,第二台座对接部分包括位于台座112中的第二凹槽704,从而使得当轴408上下移动时,第二突出部502在第二凹槽704中上下移动。根据一些实施例,第二凹槽704相对于第二突出部502的尺寸被确定为当轮406旋转时抑制轴408绕纵向轴线的旋转移动,从而使得轮406的旋转实质上转化为轴408的垂直移动,轴408的垂直移动与轴408的旋转移动相反。根据一些实施例,轮406经历很少的垂直移动或毫无垂直移动,而是主要由于带404(图3)的移动而旋转。根据一些实施例,轮406的底表面616接触或紧邻台座112的顶表面113。

图7示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406的透视图。根据一些实施例,轮406具有上部凸缘802或下部凸缘804中的至少一者,以抑制带404(图3)从轮406上拆离,所述拆离例如可能在其他情况下因带404在轮406的顶表面614之上向上移动或从轮406的底表面616向下移动而发生。

图8示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406及垂直轮停止件904的透视图。根据一些实施例,轮406包括一个或多个对接部分902(例如齿),所述一个或多个对接部分902与带404(图3)对接或以其他方式配合,以促进轮460通过带404旋转。根据一些实施例,垂直轮停止件904具有例如附接到台座112的顶表面113的第一部分906以及位于轮406之上的第二部分908。根据一些实施例,第二部分908紧邻轮406的上部凸缘802或顶表面614中的至少一者。根据一些实施例,如果轮406经历垂直移动,则轮406会遇到第二部分908,从而使得轮406的此种垂直移动中止或受到约束。

图9及图10示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的轮406、轴408以及台座112的一部分。根据一些实施例,第一轴对接部分包括位于轴408中的第一凹槽910,且第一轮对接部分包括位于轮406上的第一突出部920。根据一些实施例,第一轴对接部分与第一轮对接部分之间的配合如前面所述般进行,以促进轴408的垂直移动,且因此促进半导体晶片104(图1)的相对垂直定位。根据一些实施例,第二轴对接部分包括位于轴408中的第二凹槽912,且第二台座对接部分包括位于台座112上的第二突出部922。根据一些实施例,第二轴对接部分与第二台座对接部分之间的配合如前面所述般进行,以抑制轴408的移动。

图11示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的三种不同状态的透视图。尽管示出三个轴408及三个轮406,然而根据一些实施例,可设想存在任何数目的轴及轮。轴408被示为处于三个不同的高度,从而使得轴408的顶表面111与台座112的顶表面113之间的距离114具有三个不同的值,从而将半导体晶片104(图1)放置在三个不同的垂直位置处。

图12示出根据一些实施例的高度可调式半导体晶片支撑件100的俯视图。根据一些实施例,控制器1202耦合到电动机403以控制电动机403的操作。根据一些实施例,控制器1202对应于图1中的控制器105。根据一些实施例,标识(identification,ID)读取器1204邻近半导体晶片104,以读取半导体晶片104的ID 1206。根据一些实施例,ID 1206是条形码(bar code)或其他类似物,或者是例如由ID读取器1204获取以对半导体晶片104进行表征(characterize)或辨识的半导体晶片104的大小、尺寸等的测量值。根据一些实施例,ID读取器1204耦合到控制器1202,以使得控制器1202根据半导体晶片104的ID、大小、表征等控制电动机403的操作。根据一些实施例,考虑到由ID读取器1204获取的读数,控制器1202控制电动机403,以使带移动且轮406旋转以使轴408如所期望般移动,以将半导体晶片104放置在所期望的标高处(elevation),例如邻近一件半导体制作设备(例如图1中的半导体制作设备102)。根据一些实施例,除此之外,高度可调式半导体晶片支撑件100还通过将不同大小(例如厚度、直径等)的半导体晶片移动到相对于半导体制作设备的所期望位置来提供灵活性(flexibility)。

图13A及图13B根据一些实施例示出形成在半导体晶片(例如图1中的半导体晶片104)的至少一些部分上或至少一些部分中的半导体器件1300的至少一些部分。在一些实施例中,一件半导体制作设备(例如图1中的半导体制作设备102的至少一些部分)在半导体器件1300上操作。根据一些实施例,半导体器件1300包括鳍型场效晶体管(fin-type fieldeffect transistor,FinFET)器件1314,其中图13B示出沿图13A所示的线1316穿过FinFET器件1314的栅极区(G)1302及沟道区1352截取的FinFET器件1314的横截面图。根据一些实施例,FinFET器件1314包括源极区(S)1304及漏极区(D)1306。根据一些实施例,沟道区1352位于源极区1304与漏极区1306之间。根据一些实施例,如图13B中所示,FinFET器件1314的栅极区1302包绕(wrap around)在沟道区1352的一个或多个表面(例如第一垂直表面1352a、第二垂直表面1352b及顶表面1352c)周围。根据一些实施例,介电层1318位于栅极区1302与沟道区1352之间。根据一些实施例,源极区1304、沟道区1352及漏极区1306包括在FinFET器件1314的鳍内,其中FinFET器件1314包括一个或多个鳍。根据一些实施例,栅极区1302通过控制沟道区1352来以电的方式控制FinFET器件1314。根据一些实施例,响应于施加到栅极区1302的电压或缺少电压,栅极区1302修改沟道区1352的性质,以使得电流流过源极区1304与漏极区1306之间的沟道区1352,从而使得FinFET器件1314处于接通状态。根据一些实施例,对沟道区1352的控制是基于鳍宽度1310、鳍长度1312或鳍高度1308中的至少一者。根据一些实施例,增加鳍高度1308会改善FinFET器件1314的电特性(例如速度或响应性)。根据一些实施例,半导体晶片或其部分包括多个FinFET器件。根据一些实施例,不同鳍片之间或不同FinFET器件之间或两者之间鳍高度的变化导致电压阈值的变化及不匹配的电指标。根据一些实施例,如至少参照图1所述般调节距离116会促进对FinFET器件1314的物理性质进行所期望测量,所述物理性质为例如以下中的至少一者:鳍宽度1310、鳍长度1312、鳍高度1308中的至少一者、不同鳍之间鳍宽度的变化、不同鳍之间鳍长度的变化、不同鳍之间鳍高度的变化、不同FinFET器件之间鳍宽度的变化、不同FinFET器件之间鳍长度的变化或者不同FinFET器件之间鳍高度的变化。根据一些实施例,如至少参照图1所述般调节距离116会促进对FinFET器件1314的电性质进行所期望测量,所述电性质为例如以下中的至少一者:响应于施加到栅极区1302的特定电压而经过沟道区1352的电流、响应于施加到不同鳍的栅极区1302的特定电压而经过所述不同鳍的沟道区1352的电流的变化或者响应于施加到不同FinFET器件的栅极区1302的特定电压而经过所述不同FinFET器件的沟道区1352的电流的变化。根据一些实施例,如至少参照图1所述般调节距离116会促进调节一种或多种制作工艺(例如沉积、刻蚀、化学机械平坦化等),以获得所期望的结果(例如调节鳍宽度1310、鳍长度1312、鳍高度1308等中的一者或多者)。根据一些实施例,在半导体器件1300的制作期间或在半导体器件1300的制作之后(例如迭代地(iteratively)、实时地、原位地(in situ)等),前述测量、调节等中的一者或多者可通过控制器105(图1)而得到促进。

图14根据一些实施例示出示例性计算机可读媒体,其中所述示例性计算机可读媒体包括用以实施本文中所述条款(provisions)中的一者或多者的处理器可执行指令。在一些实施例中,图14中所示实施方案1400包括上面编码有计算机可读数据1406的计算机可读媒体1408,例如可记录光盘(compact disk-recordable,CD-R)、可记录数字多功能光盘(digital versatile disk-recordable,DVD-R)、闪存驱动器、硬盘驱动器的盘片(platter)等。根据一些实施例,计算机可读数据1406(例如包括零或一中的至少一者的二进制数据)依次包括一组处理器可执行计算机指令1404,处理器可执行计算机指令1404用以根据本文中所述原则(principles)中的一者或多者进行操作。在一些实施例中,处理器可执行计算机指令1404用以执行方法1402,例如本文中针对图1中的控制器105或图12中的控制器1202中的至少一者阐述的操作中的至少一些操作。在一些实施例中,处理器可执行计算机指令1404用以实施一种系统,例如高度可调式半导体晶片支撑件100的至少一些部分。许多此种计算机可读媒体被所属领域中的普通技术人员设计为用以根据本文中呈现的技术来进行操作。

本申请中所使用的用语“组件”、“模块”、“系统”、“界面”等一般旨在指代计算机相关实体:硬件、硬件与软件的组合、软件或者执行中的软件。举例来说,组件可包括在处理器上运行的进程(process)、处理器、对象(object)、可执行文件(executable)、执行线程(thread of execution)、程序或计算机。举例来说,在控制器上运行的应用与控制器二者均可为组件。一个或多个组件可驻留(reside)在执行进程或执行线程中,且一组件可位于一台计算机上或者分布在两台或更多台计算机之间。

此外,所主张的主题可被实施为使用标准编程或工程技术来产生软件、固件、硬件或其任意组合以控制计算机实施所公开主题的方法、装置或制品。本文中所使用的用语“制品”旨在包括可从任何计算机可读器件、载体或媒体存取的计算机程序。当然,在不背离所主张主题的范围或精神的情况下,可对此种配置进行许多修改。

图15示出根据一些实施例的其中实施本文中所述条款中的一者或多者的示例性计算环境。图15所示操作环境仅为合适的操作环境的一个例子,且不旨在对操作环境的使用范围或功能提出任何限制。示例性计算器件包括但不限于个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型器件、移动器件(例如移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、媒体播放器等)、多处理器系统、消费电子器件(consumer electronics)、小型计算机(mini computer)、大型计算机(mainframe computer)、包括以上系统或器件中的任一者的分布式计算环境等。

一般来说,实施例是在“计算机可读指令”由一个或多个计算器件执行的一般背景下进行阐述。如下文将论述,计算机可读指令通过计算机可读媒体进行分布。计算机可读指令被实施为实行特定任务或实施特定抽象数据类型的程序模块,例如函数、对象、应用编程界面(Application Programming Interface,API)、数据结构等。通常,计算机可读指令的功能在各种环境中视需要而进行组合或分布。

图15示出包括计算器件1512的系统1500的例子,计算器件1512用以实施本文中所提供的一个或多个实施例,例如图1中的控制器105或图12中的控制器1202中的至少一者。在一配置中,计算器件1512包括至少一个处理单元1516及存储器(memory)1518。在一些实施例中,视计算器件的确切配置及类型而定,存储器1518是易失性的(volatile)(例如随机存取存储器(random access memory,RAM))、非易失性的(例如只读存储器(read-onlymemory,ROM)、闪速存储器等)或所述二者的某种组合。此种配置在图15中由虚线1514示出。

在一些实施例中,计算器件1512包括附加特征或功能。举例来说,计算器件1512还包括例如可移动存储体(removable storage)或非可移动存储体等附加存储体,包括但不限于磁性存储体、光学存储体等。此种附加存储体在图15中由存储体(storage)1520示出。在一些实施例中,实施本文中所提供的一个或多个实施例的计算机可读指令位于存储体1520中。存储体1520还存储实施作业系统(operating system)、应用程序等的其他计算机可读指令。计算机可读指令被加载在存储器1518中,以例如由处理单元1516执行。

本文中所使用的用语“计算机可读媒体”包括计算机存储媒体。计算机存储媒体包括以任何方法或技术实施的易失性及非易失性、可移动及非可移动媒体,以存储例如计算机可读指令或其他数据等信息。存储器1518及存储体1520是计算机存储媒体的例子。计算机存储媒体包括但不限于RAM、ROM、电可擦可编程只读存储器(electrically erasableprogrammable ROM,EEPROM)、闪速存储器或其他存储技术、只读光盘(compact disk-readonly memory,CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储体、盒式磁带(magneticcassettes)、磁带(magnetic tape)、磁盘存储体(magnetic disk storage)或其他磁性存储器件或者可用于存储所期望信息且可由计算器件1512存取的任何其他媒体。任何此种计算机存储媒体均是计算器件1512的一部分。

在一些实施例中,计算器件1512包括使得计算器件1512能够与其他器件通信的通信连接部1526。通信连接部1526包括但不限于调制解调器(modem)、网络界面卡(NetworkInterface Card,NIC)、集成网络界面、射频发射器/接收器、红外端口、通用串行总线(universal serial bus,USB)连接部或用于将计算器件1512连接到其他计算器件的其他界面。在一些实施例中,通信连接部1526包括有线连接部或无线连接部。在一些实施例中,通信连接部1526发射和/或接收通信媒体。

用语“计算机可读媒体”包括通信媒体。通信媒体通常包含例如载波或其他传输机制等“经调制数据信号”中的计算机可读指令或其他数据,且包括任何信息传递媒体。用语“经调制数据信号”包括以将信息编码在信号中的方式设定或改变其特性中的一者或多者的信号。

计算器件1512包括例如键盘、鼠标、笔、语音输入器件、触摸输入器件、红外照相机、视频输入器件或任何其他输入器件等输入器件1524。计算器件1512中也包括例如一个或多个显示器、扬声器、打印机或任何其他输出器件等输出器件1522。输入器件1524及输出器件1522通过有线连接部、无线连接部或其任意组合连接到计算器件1512。在一些实施例中,来自另一计算器件的输入器件或输出器件用作计算器件1512的输入器件1524或输出器件1522。计算器件1512还包括通信连接部1526,以促进与一个或多个其他器件的通信。

计算器件1512的组件是通过例如总线等各种内连线来连接。此种内连线包括周边组件内连线(Peripheral Component Interconnect,PCI)(例如快速周边组件内连线(PCIExpress)、通用串行总线(USB)、火线(电气与电子工程师学会(Institute of Electricaland Electronic Engineers,IEEE)13104)、光学总线结构等。在另一个实施例中,计算器件1512的组件是通过网络来内连。举例来说,存储器1518由通过网络内连的位于不同实体位置中的多个实体存储单元构成。

在一些实施例中,用于存储计算机可读指令的存储器件分布在网络上。举例来说,可经由网络1528存取的计算器件1530存储计算机可读指令以实施本文中所提供的一个或多个实施例。计算器件1512存取计算器件1530,且下载计算机可读指令中的一部分或全部以供执行。作为另外一种选择,计算器件1512视需要下载多条计算机可读指令,或者一些指令在计算器件1512处执行,且一些则在计算器件1530处执行。

根据一些实施例,提供一种高度可调式半导体晶片支撑件,所述高度可调式半导体晶片支撑件包括:吸盘,用于支撑半导体晶片;调节机构,具有用于支撑所述吸盘的顶表面;以及台座,耦合到所述调节机构,从而使得所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。

根据一些实施例,所述调节机构包括轮、带以及轴。带耦合到所述轮。轴耦合到所述轮,其中:所述轴的第一端部界定所述调节机构的所述顶表面,所述带在第一方向上的移动使所述轮在第一旋转方向上旋转,且所述轮在所述第一旋转方向上的旋转使所述轴在第一垂直方向上移动,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离,其中所述第一垂直方向对应于所述轴的纵向轴线。

根据一些实施例,所述带在第二方向上的移动使所述轮在第二旋转方向上旋转,且所述轮在所述第二旋转方向上的旋转使所述轴在与所述第一垂直方向相反的第二垂直方向上移动,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离。

根据一些实施例,所述调节机构包括电动机,使所述带在所述第一方向或所述第二方向中的至少一者上移动。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括第一轴对接部分以及第一轮对接部分,其中当所述轮旋转以使所述轴在所述第一垂直方向上移动时,所述第一轴对接部分与所述第一轮对接部分对接。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括第二轴对接部分以及第二台座对接部分,其中当所述轴在所述第一垂直方向上移动时,所述第二轴对接部分与所述第二台座对接部分对接,以抑制所述轴绕所述纵向轴线的旋转移动。

根据一些实施例,存在以下情形中的至少一者:所述第一轴对接部分包括位于所述轴上的第一突出部,且所述第一轮对接部分包括位于所述轮中的第一凹槽;所述第一轴对接部分包括位于所述轴中的第一凹槽,且所述第一轮对接部分包括位于所述轮上的第一突出部;所述第二轴对接部分包括位于所述轴上的第二突出部,且所述第二台座对接部分包括位于所述台座中的第二凹槽;或者所述第二轴对接部分包括位于所述轴中的第二凹槽,且所述第二台座对接部分包括位于所述台座上的第二突出部。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括张紧器,其耦合到所述带以调节所述带中的张力。

根据一些实施例,提供一种高度可调式半导体晶片支撑件,所述高度可调式半导体晶片支撑件包括:吸盘,用于支撑半导体晶片;调节机构,具有用于支撑所述吸盘的顶表面;以及台座,耦合到所述调节机构,从而使得通过所述调节机构的电动机实现的所述调节机构的所述顶表面相对于所述台座的移动改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的顶表面之间的距离。

根据一些实施例,所述调节机构包括轴,其耦合到所述电动机,其中所述轴的第一端部界定所述调节机构的所述顶表面。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括带,其耦合到所述电动机及所述轴,其中所述电动机使所述带移动,且所述带在第一方向上的移动使所述轴在第一垂直方向上移动,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离,其中所述第一垂直方向对应于所述轴的纵向轴线。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括轮,其耦合到所述带及所述轴,其中所述带在所述第一方向上的所述移动使所述轮在第一旋转方向上旋转,且所述轮在所述第一旋转方向上的旋转使所述轴在所述第一垂直方向上移动。

根据一些实施例,所述带在第二方向上的移动使所述轮在第二旋转方向上旋转,且所述轮在所述第二旋转方向上的旋转使所述轴在与所述第一垂直方向相反的第二垂直方向上移动,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括第一轴对接部分以及第一轮对接部分,其中当所述轮旋转以使所述轴在所述第一垂直方向上移动时,所述第一轴对接部分与所述第一轮对接部分对接。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括第二轴对接部分以及第二台座对接部分,其中当所述轴在所述第一垂直方向上移动时,所述第二轴对接部分与所述第二台座对接部分对接,以抑制所述轴绕所述纵向轴线的旋转移动。

根据一些实施例,存在以下情形中的至少一者:所述第一轴对接部分包括位于所述轴上的第一突出部,且所述第一轮对接部分包括位于所述轮中的第一凹槽;所述第一轴对接部分包括位于所述轴中的第一凹槽,且所述第一轮对接部分包括位于所述轮上的第一突出部;所述第二轴对接部分包括位于所述轴上的第二突出部,且所述第二台座对接部分包括位于所述台座中的第二凹槽;或者所述第二轴对接部分包括位于所述轴中的第二凹槽,且所述第二台座对接部分包括位于所述台座上的第二突出部。

根据一些实施例,所述的高度可调式半导体晶片支撑件包括控制器以及标识(ID)读取器。控制器耦合到所述电动机。标识(ID)读取器耦合到所述控制器,其中所述标识读取器读取所述半导体晶片的标识,且所述控制器基于所述半导体晶片的所述标识来控制所述电动机,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离。

根据一些实施例,提供一种用于调节半导体晶片的高度的方法,所述方法包括:将用于支撑所述半导体晶片的吸盘放置在支撑所述吸盘的调节机构的顶表面上;以及启动所述调节机构,以改变所述调节机构的所述顶表面与支撑所述调节机构的台座的顶表面之间的距离。

根据一些实施例,所述调节机构的所述顶表面由所述调节机构的轴的第一端部界定,其中启动所述调节机构包括:移动耦合到所述轴的带,以使所述轴在第一垂直方向上移动,以改变所述调节机构的所述顶表面与所述台座的所述顶表面之间的所述距离,其中所述第一垂直方向对应于所述轴的纵向轴线。

根据一些实施例,所述的方法包括:当所述轴在所述第一垂直方向上移动时,抑制所述轴绕所述纵向轴线的旋转移动。

以上概述了若干实施例的特征,以使所属领域中的普通技术人员可更好地理解本公开的各种方面。所属领域中的普通技术人员应知,其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的各种实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的各种实施例相同的优点。所属领域中的普通技术人员还应认识到,此种等效构造并不背离本公开的精神及范围,而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及更改。

尽管已采用结构特征或方法动作专用的语言阐述了本主题,然而据理解,随附权利要求的主题未必仅限于上述具体特征或动作。确切来说,上述具体特征及动作是作为实施权利要求中的至少一些权利要求的示例性形式而公开的。

本文中提供实施例的各种操作。阐述一些或所有所述操作时的次序不应被理解为暗示这些操作必须依照次序进行。将理解,替代次序也具有本说明的有益效果。此外,将理解,并非所有操作均必须存在于本文中提供的每一实施例中。此外,将理解,在一些实施例中,并非所有操作均是必要的。

将理解,在一些实施例中,例如出于简洁及便于理解的目的,本文中绘示的层、特征、元件等是以相对于彼此的特定尺寸(例如,结构尺寸或取向)进行例示,且所述层、特征、元件等的实际尺寸实质上不同于本文中所例示的尺寸。另外,举例来说,存在例如以下中的至少一者等各种技术来形成本文中所提及的层、区、特征、元件等:刻蚀技术、平坦化技术、植入技术、掺杂技术、旋涂技术、溅镀技术、生长技术或沉积技术(例如,化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD))。

此外,本文中使用“示例性”来指充当例子、实例、示例等,而未必指为有利的。本申请中使用的“或”旨在指包含的“或”而不是指排他的“或”。另外,除非另有指明或从上下文中清楚地表明指单数形式,否则本申请及随附权利要求书中使用的“一(a及an)”一般被视为指“一个或多个”。此外,A及B中的至少一者和/或类似表述一般指A或B、或A与B两者。此外,就使用“包含(includes)”、“具有(having、has)”、“带有(with)”或其变型的程度而言,此种用语旨在以相似于用语“包括(comprising)”的方式表示包含。此外,除非另有指明,否则“第一(first)”、“第二(second)”等并不旨在暗示时间方面、空间方面、次序等。确切来说,此种用语仅用作特征、元件、物项等的标别符、名称等。举例来说,第一元件及第二元件一般对应于元件A及元件B、或两个不同元件、或两个相同元件、或同一元件。

此外,尽管已针对一种或多种实施方案示出并阐述了本公开,然而所属领域中的普通技术人员在阅读及理解本说明书及附图后将想到等效更改及修改形式。本公开包括所有此种修改及更改形式,且仅受限于以上权利要求书的范围。特别对于由上述组件实行的各种功能而言,用于阐述此种组件的用语旨在对应于实行所述组件的指定功能(例如,功能上等效的)的任意组件(除非另有表明),即使所述组件在结构上不与所公开的结构等效。另外,尽管可能仅相对于若干实施方案中的一种实施方案公开了本公开的特定特征,然而在对于任意给定或特定应用而言可能为期望的及有利的时,此种特征可与其他实施方案的一种或多种其他特征进行组合。

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