一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法

摘要

本发明提供一种改善小尺寸接触孔工艺窗口的方法，提供多片晶圆，晶圆上自下而上依次设有NiSi层、CESL层、ILD层；在ILD层上形成光刻胶图形；按光刻胶图形刻蚀ILD层至露出CESL层上表面形成接触孔凹槽；对每片进行单片清洗；在凹槽侧壁和底部形成LTO层；沿凹槽侧壁继续向下刻蚀CESL层，CESL层上表面的LTO层被去除，直到向下刻蚀至露出NiSi层上表面为止，形成接触孔；将多片晶圆分多个批次以缩短孔蚀刻完到后续阻挡层沉积的时间，降低环境沾污的影响，利用原子层沉积法覆盖TiN薄层；多片晶圆合并进行接触孔钨填充。本发明使接触孔的形貌更加竖直，增大了接触孔与多晶硅连接的工艺窗口；解决了接触孔体积略微缩小带来的电阻问题和钨填充问题。