机译:一种新型硅杂结IBC工艺流程,使用掺杂A-Si的部分蚀刻:h从孔接触切换到电子接触以原位,效率接近23%
机译:使用掺杂A-Si的部分蚀刻的新型硅杂函数IBC工艺流程:H以使从孔接触切换到电子接触以原位,效率接近23%
机译:在FZO / SiO_x / p-Si异质结晶体硅太阳能电池中,通过电晕放电辅助超声喷雾热解和氢化作为电子选择触点制备的氟掺杂ZnO(FZO)薄膜
机译:用于高效N型硅太阳能电池的隧道钝化电子触点,具有非晶硅钝化孔触点
机译:使用掺杂A-Si的部分蚀刻的新型硅杂函数IBC工艺流程:H具有接近23%的效率
机译:H2S反应和指叉背接触式硅异质结(IBC-SHJ)太阳能电池的构图工艺使硅缺陷钝化
机译:PEDOT:PSS作为硅异质结太阳能电池的空穴选择性前触点的潜力
机译:高性能LPCVD多晶硅钝化接触的原位掺杂和局部过补偿作为工业IBC电池的方法
机译:碳化硅中掺杂层,触点和相关电子器件的持续发展和表征