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公开/公告号CN113227277A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 默克专利有限公司;
申请/专利号CN201980082378.1
发明设计人 绢田贵史;长原达郎;堀场优子;
申请日2019-12-12
分类号C09D161/00(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11216 北京三幸商标专利事务所(普通合伙);
代理人刘卓然
地址 德国达姆施塔特
入库时间 2023-06-19 12:07:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-03
授权
发明专利权授予
机译: 用于CMP抛光液的清洗液,使用该清洗液的清洗方法以及使用该清洗液的半导体基板的制造方法
机译: 半导体装置用基板的清洗液,半导体装置用基板的清洗方法,半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置用基板
机译: 用于清洗半导体器件基板的清洗液和使用该清洗液的清洗方法
机译:印刷电路用铝基板及其制造方法,印刷基板及其制造方法
机译:半导体发光元件的基板的制造方法及使用该基板的半导体发光元件的方法的专利
机译:用于光刻设备的基板保持器和制造基板支架的方法
机译:高效制造塑料基板金属纳米型阵列的制造方法(超细切削检查细槽处理方法到石英玻璃基板)
机译:用于微电子封装的顺序多层高密度基板制造的集成工艺建模方法学和模块。
机译:通过简单的转移印刷方法在各种基板上制造纳米线器件
机译:使用激烈的脉冲光从金属基板中快速制造金属基板的金属基板
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。