晶圆级封装方法以及晶圆级封装结构

摘要

本发明公开了一种晶圆级封装方法以及晶圆级封装结构，在待封装芯片上需要制作两层金属层，相对于常规三层金属层以及三层绝缘介质层方案，本发明技术方案只需要两层再布线层以及两层绝缘介质层即可以实现重新布线的效果，减少了一层金属层以及绝缘介质层；由于减少了一层绝缘介质层以及一层金属层，可以显著降低封装过程中未切割前晶圆表面的翘曲度，使得翘曲度降低到3mm以下，可以提高第二层绝缘介质层的平整度，简化了制作工艺，降低了封装成本，可以实现大批量的量产，提高了封装效率。