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公开/公告号CN113115521A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第二十九研究所;
申请/专利号CN202110295479.6
发明设计人 方杰;刘川;崔西会;张香朋;苟中月;许冰;伍泽亮;廖伟;何东;吴婷;史平怡;陈绪波;代忠;
申请日2021-03-19
分类号H05K3/22(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人贾年龙
地址 610036 四川省成都市金牛区营康西路496号
入库时间 2023-06-19 11:49:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-15
授权
发明专利权授予
机译: 集成电路组件的返工方法,返工设备,焊剂回流方法,焊剂回流器件,集成电路组件的安装方法和安装装置
机译: 焊锡返工方法,使用相同的焊锡返修装置,以及使用相同的板子检查方法
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译:碳和质子的共注入:一种集成的硅器件技术兼容的方法,用于产生激光G中心
机译:高性能近红外光电二极管:一种基于化学的新颖方法,用于在硅上集成Ge和Ge-Sn器件
机译:集成自组装单分子层的形态及其对器件的影响-一种计算和实验方法
机译:常规集成磁装置比较的使用有限元方法研究了一种新型集成磁系统
机译:一种确定集成电路性能对硅工艺,器件和电路参数的依赖性的方法。
机译:微流体模块与微波组件集成 - 来自不同制造技术的角度的应用概述
机译:飞机自动返工系统(AARS):一种系统集成方法
机译:用于封装和集成微光子器件的装置和方法