一种超低方阻及低反射率导电膜及其制备方法和应用

摘要

一种超低方阻及低反射率导电膜，该导电膜具体结构包括由下至上设置的基材层、有机硅预涂层、无机物层、导电功能层、黑化层和保护层；其中无机物层为硅或者氧化物，导电功能层为铜或者铜合金层；黑化层为铜或者铜合金的氧化物、碳化物或氮化物；保护层为纳米级氧化物。本发明公开的导电膜可实现方阻低于0.1Ω/□，波长550nm时表面反射率低于15%，且导电层对于基材的附着力达到JIS K 5600标准≥4B。该产品可以应用在超大尺寸触控产品上，同时具有好的消影效果。