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一种铝掺杂4H碳化硅的激光热处理方法

摘要

本发明涉及一种铝掺杂4H碳化硅的激光热处理方法,其首先把注入铝受体碳化硅放置纯Ar气下;然后以Nd:YAG激光脉冲第一阶段照射在Al受主制备P型区上;再以Nd:YAG激光脉冲第二阶段照射在Al受主制备P型区上;最后以Nd:YAG激光脉冲第三阶段照射在Al受主制备P型区上,完成注入后热处理工艺。本发明采用Nd:YAG激光,接近4H碳化硅能量带宽度3.23eV,提高晶体取受收光能的效率。同时激光的小光点特性可以有效的只针对注入的P型区域加热,不同以热管加热的方式全面升温。三阶段的加热是改善加热时晶体内緃向的温度梯度,这样最终可以有效降低表面的最高温度,改善在高温退火过程中发生的表面恶化。

著录项

  • 公开/公告号CN113097059A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯璨半导体科技(山东)有限公司;

    申请/专利号CN202110373588.5

  • 申请日2021-04-07

  • 分类号H01L21/268(20060101);H01L21/04(20060101);

  • 代理机构35205 泉州市文华专利代理有限公司;

  • 代理人陈雪莹

  • 地址 250000 山东省济南市历城区二环东路3749号五楼501室

  • 入库时间 2023-06-19 11:45:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/268 专利申请号:2021103735885 申请日:20210407

    实质审查的生效

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