公开/公告号CN113078956A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院紫金山天文台;
申请/专利号CN202110259647.6
申请日2021-03-10
分类号H04B10/61(20130101);H04B10/90(20130101);
代理机构32252 南京钟山专利代理有限公司;
代理人金子娟
地址 210008 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号
入库时间 2023-06-19 11:44:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-24
著录事项变更 IPC(主分类):H04B10/61 专利申请号:2021102596476 变更事项:申请人 变更前:中国科学院紫金山天文台 变更后:中国科学院紫金山天文台 变更事项:地址 变更前:210008 江苏省南京市鼓楼区北京西路2号 变更后:210023 江苏省南京市栖霞区元化路10号
著录事项变更
机译: 基于MOSFET漏极光栅化的太赫兹检测器的制备方法
机译: 基于周期性光栅化漏极的金属栅极MOSFET太赫兹检测器
机译: 基于周期性光栅化栅极的金属栅极MOSFET太赫兹检测器