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一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器

摘要

本发明公开一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器,由补偿型场效应晶体管M2组成的放大级;电感L1、电感L2以及电感L3通过电磁耦合形成的无源器件变压器P1组成的匹配级;电流源Ibias和晶体管M0组成的给共源晶体管M1提供栅极电压的电流偏置级以及由二极管D0、二极管D1与二极管D2组成静电保护级构成;静电保护级用于提供正向和负向的电荷泄放通路。本发明在实现射频信号放大的同时,通过内嵌静电防护电路,避免大的寄生电容对射频性能的影响,易于降低成本,实现大规模量产。

著录项

  • 公开/公告号CN113067554A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN202110350194.8

  • 发明设计人 赵毅强;耿俊峰;叶茂;李尧;

    申请日2021-03-31

  • 分类号H03F1/26(20060101);

  • 代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩新城

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 11:42:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    授权

    发明专利权授予

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