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公开/公告号CN113067554A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN202110350194.8
发明设计人 赵毅强;耿俊峰;叶茂;李尧;
申请日2021-03-31
分类号H03F1/26(20060101);
代理机构12107 天津市三利专利商标代理有限公司;
代理人韩新城
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2023-06-19 11:42:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-21
授权
发明专利权授予
机译: CMOS低噪声放大器可同时实现最小化的噪声和输入功率匹配以及无线电接收器
机译: 用基于CMOS的一个芯片实现的CMOS X射线探测器或图像传感器及其制造方法
机译: 一种在CMOS晶体管中由于扩散的漏极和源极区而制备低电位的工艺,以实现高效率和低功耗的应用
机译:用于KaKa频段宽带低噪声放大器和高精度正交压控振荡器的65nm CMOS双门器件
机译:3 V低噪声放大器,采用0.8 / spl mu / m CMOS工艺实现,具有三个金属层,可实现900 MHz的运行
机译:用于CMOS集成电路的JFET器件及其在基于CMOS的低噪声放大器中的应用
机译:用于SiGe BiCMOS技术中K和Ka频段应用的并行双频段低噪声放大器
机译:用于超宽带通信系统的数字CMOS设计:从电路级低噪声放大器的实现到系统级架构。
机译:使用基于EMCCD和CMOS的微CT系统实现材料分解
机译:采用0.18um CmOs的1-5 GHz UWB低噪声放大器的设计与实现
机译:一种用于prolog的CmOs芯片的设计与实现