基于0.13μm CMOS工艺的双频段低噪声放大器的设计与实现

摘要

本文采用TSMC 0.13μmCMOS工艺设计并实现了一款可分别工作于频段3.4GHz～3.6GHz和频段4.2GHz～4.8GHz的双频段低噪声放大器。放大器基于经典的源极电感负反馈共源共栅结构，通过增加开关电容和耳开关电路以实现放大器在不同频段之间切换工作。后仿真结果表明，在低频3.4GHz～3.6GHz时，输入匹配S11小于-19dB，输出匹配S22小于-16.0dB，增益S21大于17.3dB，噪声系数NF小于2.3dB；在高频4.2GHz～4.8GHz时，输入匹配S11小于-11.8dB，输出匹配小于-15.4dB，增益S21大于19.8dB，噪声系数NF小于2.5dB。芯片目前已流片测试，测试结果也证明了该双频段低噪声放大器结构的可行性。