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一种基于厚度刻蚀的大面积超薄二维氮化物的生长方法

摘要

本发明公开了一种超薄二维氮化物薄膜的制备方法,包括:用氧气等离子体清洗机对衬底表面进行预处理,为氧原子的吸附提供了更多的活性位点,挤压液态金属后液态金属表面氧化膜与衬底之间的结合能力明显提高,而内层的氧化膜由于与衬底之间没有充分接触,氧化程度不够高导致其质量较差,因此在后续氮气等离子化学气相沉积的过程会把这层氧化膜刻蚀掉,获得超薄二维薄膜的同时也对氧化膜进行了氮化,得到了超薄二维氮化物薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN113013020A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国人民大学;

    申请/专利号CN202110200330.5

  • 发明设计人 陈珊珊;张戈辉;陈鹭琛;

    申请日2021-02-23

  • 分类号H01L21/02(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵静

  • 地址 100872 北京市海淀区中关村大街59号

  • 入库时间 2023-06-19 11:32:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-27

    授权

    发明专利权授予

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