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控制Taiko晶圆断差的方法

摘要

本发明公开了一种控制Taiko晶圆断差的方法,在Taiko减薄工艺中,先对不同晶圆的边缘进行预研磨,使预研磨后所有晶圆的边缘的厚度T1等于Taiko晶圆的目标厚度T2与断差D之和,所述断差D为Taiko减薄工艺形成的支撑环的高度与Taiko晶圆的目标厚度T2的差值。本发明充分考虑不同晶圆的初始厚度存在一定差异的情况,在对晶圆进行Taiko减薄工艺之前,先对晶圆进行预研磨,使进行Taiko减薄工艺的晶圆边缘的厚度保持一致,然后再对预研磨后的晶圆进行Taiko减薄工艺,这样就可以保证晶圆完成Taiko减薄后的断差一致,从而保证在对支撑环进行环切作业时不需要频繁地更换环切设备中的侧支撑部,从而显著提升机台的运行时间。

著录项

  • 公开/公告号CN112992655A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华虹半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN202110169980.8

  • 发明设计人 付先达;苏亚青;谭秀文;

    申请日2021-02-05

  • 分类号H01L21/02(20060101);B24B1/00(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人栾美洁

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

  • 入库时间 2023-06-19 11:27:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-08-16

    授权

    发明专利权授予

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